Гӯшкунаки шиддати муваққатии PAR® дар сатҳи баланд устувор (TVS) DO-218AB SM8S
Афзалиятҳои DO-218AB SM8S:
1. Аз сабаби технологияи Усули Etching Chemical, натиҷаҳои манфии воситаҳои буридани бевосита бартараф карда мешавад.
2. Дар шиддати баръакс тавоно аст, зеро чипи калонтар аз ҳамтоҳо.
3. Сатҳи бениҳоят пасти нокомӣ дар обу ҳаво ва минтақаҳои гуногун
4. Аз ҷониби стандарти AEC-Q101 тасдиқ шудааст
5. Функсияҳои диод оптимизатсия карда шудаанд, ки аз муҳофизати илмӣ дар гузаргоҳи PN баҳра мебаранд.
Хусусиятҳои АСОСӢ:
VBR: 11,1 В то 52,8 В
VWM: 10 В то 43 В
PPPM (10 x 1000 мкс): 6600 Вт
PPPM (10 x 10 000 мкс): 5200 Вт
ПД: 8 Вт
IFSM: 700 А
TJ макс.: 175 °C
Қутбӣ: яктарафа
Баста: DO-218AB
Тартиби истеҳсоли чип
1. Чопи худкор（Чопи автоматии вафли ултра дақиқ）
2. Худкори аввал-автомат（Таҷҳизоти автоматии пошидани, CPK>1.67）
3. Санҷиши худкори қутбӣ (Санҷиши қутбӣ дақиқ)
4. Ҷамъоварии автоматӣ （Маҷмаи дақиқи худкори худкор）
5. Кафшеркунӣ (Ҳифз бо омехтаи нитроген ва гидроген
кафшери вакуумӣ)
6. Гирифтани автоматии дуюм (авттинги автоматии дуюм бо оби ултра пок)
7. Ширеши худкор (Чепешидани якхела ва Ҳисоби дақиқ аз ҷониби Таҷҳизоти ширешкунии автоматии дақиқ амалӣ карда мешавад)
8. Санҷиши худкори гармӣ (Интихоби худкор аз ҷониби Санҷиши гармӣ)
9. Санҷиши худкор (Санҷкунандаи бисёрфунксионалӣ)
